S40F
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 80 V、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 TO-269AA-4 封装。
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S40FC002C1B1A00000
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1A00300
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1B00000
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1B00300
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1I00000
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1I00010
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1I00300
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1I00310
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC002C1B1V00000
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 SLC、顺序读取速率 186 MB/s，采用 FBGA-153 封装。
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