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原厂资料

3 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BAS40DW-04-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-4-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-05-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-5-7-F
2023-05-15查看资料
BAS40DW-06-7-F-2477Diodes Incorporated
  • BAS40DW-6-7-F
2023-05-15查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

12 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S40D

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。

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S40DR

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。

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BAS40DW-04-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Surface Mount Schottky Barrier Diode Array、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

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BAS40DW-04-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

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BAS40DW-05-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Surface Mount Schottky Barrier Diode Array、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

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BAS40DW-05-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。

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BAS40DW-06-7-F

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Surface Mount Schottky Barrier Diode Array、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363-6 封装。

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BAS40DW-06-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。

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BAS40DY-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934665753115。

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BAS40DYX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934665751115。

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