S40BR
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 40 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BAS40BRW-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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BAS40BRW-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Surface Mount Schottky Barrier Diode Array、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersBAS40BRW-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOT-363 封装。
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