S401E
Littelfuse
主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流(IBO) 30 A、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 1 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs技术资料参考
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Littelfuse
主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流(IBO) 30 A、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 1 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsLittelfuse
主要参数包括VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、商品名称 Teccor,采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsLittelfuse
主要参数包括VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、商品名称 Teccor,采用 TO-92-3 (TO-226-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 16 A、漏源导通电阻(Rds On) 29 mOhms,采用 PowerPAK-1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 16 A,采用 PowerPAK-1212-8 封装。
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