S400Q
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 400 A、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 8640 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-9 封装。
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S400QR
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 400 A、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 8640 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-9 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersZHCS400QTA
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 400 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 6.75 A，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersZHCS400QTC
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersZLLS400QTA
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 520 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 12 A，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersZLLS400QTC
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 520 mA、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 12 A，采用 SOD-323-2 封装。
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