S3DB
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AB-2 封装。
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S3DB
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers、单件重量 0.003386 oz，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB
onsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB M4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB R4
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB R4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB R5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB R5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DB-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A，采用 SMB/DO-214AA 封装。
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