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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
VS-VS380BG16DVishay
  • VS-TH380BL16P
2023-05-11查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

9 个原型号
原型号

2U3836L30QDBVRG4Q1

Texas Instruments

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS3809L30MDBVREPTexas Instruments相似型号
原型号

APX810-23SAG-7

Diodes Incorporated

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS3809J25DBVRTexas Instruments相似型号
原型号

MAX809RTRG

onsemi

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS3809L30DBVRTexas Instruments直接替代候选
原型号

MCP809T-270I/TT

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS3809L30DBVRTexas Instruments直接替代候选
原型号

TPS3801L30DCKRG4

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • TPS3801L30DCKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

TPS3805H33QDCKREP

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • TPS3805H33QDCKRQ1Texas Instruments参数相近
原型号

TPS3808G15DBVTG4

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选
  • TPS3808G15DBVTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

TPS3808G30DBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选
  • TPS3808G30DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

TPS3808G50QDBVRQ1

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • TPS3808G50DBVRTexas Instruments参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

180 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S380

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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S380F

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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S380Y

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1600 V、正向电流（If） 380 A、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 6335 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-9 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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S380YR

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1600 V、正向电流（If） 380 A、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 6335 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-9 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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S380Z

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 2000 V、正向电流（If） 380 A、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 6335 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-9 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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S380ZR

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 2000 V、正向电流（If） 380 A、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 6335 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-9 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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1SS380TE-17

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 35 V、最大浪涌电流 400 mA、正向电流（If） 225 mA、配置 Single，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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1SS380VMFHTE-17

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 80 V、最大浪涌电流 400 mA、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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1SS380VMTE-17

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 80 V、最大浪涌电流 400 mA、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 SC-90A-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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AUIRFS3806

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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