S34MS01G200TFV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 TSOP-I-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 TSOP-I-48 封装。
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