S34ML01G100TFV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位、电源电流(最大值) 30 mA,采用 TSOP-I-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NAND Flash技术资料参考
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SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位、电源电流(最大值) 30 mA,采用 TSOP-I-48 封装。
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