S29GL512T11TFB023
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR、存储组织结构 64 M x 8，采用 TSOP-56 封装。
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S29GL512T11TFB023
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 60 mA、存储组织结构 64 M x 8/32 M x 16，采用 TSOP-56 封装。
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