S29GL512T11FHIV30
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8,采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash技术资料参考
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Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8,采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashInfineon Technologies
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流(最大值) 60 mA,采用 BGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash