S2060
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 16 A、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 200 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-203AA-2 封装。
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S2060
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 16 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 200 A，采用 DO-203AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersMBRS2060CT
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国、单件重量 0.079014 oz，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS2060CT RN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-263-2 (D2PAK) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS2060CT RNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.95 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-263AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS2060CT-Y
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS2060CT-Y RN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.8 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-263AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS2060CT-Y RNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.8 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-263AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS2060CTH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS2060CTHRN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向电压（Vf） 0.95 V、正向浪涌电流（Ifsm） 150 A，采用 TO-263AB-2 封装。
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