S1KHE3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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S1KHE3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1KHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS1KHE3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KHE3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1KHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1KHE3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers，采用 SMA 封装。
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