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查看详情 · 17 条候选24LC32A-I/MS16KVAO
Microchip Technology
- 24LC32A-I/MSMicrochip Technology参数相近
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芯片技术资料
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S16K
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 16 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 370 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS16KR
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 16 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 370 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS16KSD2
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 16 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers11AA160T-I/CS16K
Microchip Technology
主要参数包括存储容量 16 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 2 k x 8、数据保持时间 200 Year、商品名称 UNI/O，采用 CSP-5 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM24AA04T-I/CS16K
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 CSP-4 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM24AA08T-I/CS16K
Microchip Technology
主要参数包括存储容量 8 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 1 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 CSP-5 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM24AA16T-I/CS16K
Microchip Technology
主要参数包括存储容量 128 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 CSP-5 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM24AA256T-I/CS16K
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 CSP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM24AA32AT-I/CS16K
Microchip Technology
主要参数包括存储容量 32 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 CSP-5 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM24AA64T-I/CS16K
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 CSP-4 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM