RS1K
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
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RS1K
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主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K R2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K R3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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