RS104
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 RS-1 封装。
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芯片技术资料
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RS104M
Rectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 RS-1M 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers2RS104M
Rectron
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-1M 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers4RS104M
Rectron
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 130 A，采用 RS-1M 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersCYRS1049DV33-12FZMB
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CFP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMCYRS1049DV33-1X18M
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > SRAMMBRS1045
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 570 mV，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS1045 MNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 0.84 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS1045 RN
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 0.57 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRS1045 RNG
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 0.57 V、正向浪涌电流（Ifsm） 120 A，采用 TO-263AB-2 封装。
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