RN1117MFV
Toshiba
该型号为晶体管。
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RN1117MFV(TL3,T)
Toshiba
该型号为晶体管，采用 Reel 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedRN1117MFV(TPL3)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedRN1117MFV,L3F
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 2.13、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOT-723-3 封装。
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