RMB2S
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 MBS-4 封装。
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芯片技术资料
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RMB2S RC
Taiwan Semiconductor
主要参数包括正向电流（If） 0.8 A、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、长度 4.9 mm，采用 MBS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRMB2S RCG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 0.5A,200V,MINI SMD GP FR BRIDGE REC.
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRMB2S-E3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRMB2S-E3/80
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 TO-269AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRMB2S-E3\45
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRMB2S-E3\80
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-269AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRMB2SHRC
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-269AA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersRMB2SHRCG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-269AA-4 封装。
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