RGP10M
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
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RGP10M
onsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRGP10M-E3/53
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 500 ns，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRGP10M-E3/54
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 500 ns，采用 DO-204AL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRGP10M-E3/73
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 500 ns，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRGP10M-E3\53
Vishay
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRGP10M-E3\54
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 500 ns，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRGP10M-E3\73
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 500 ns，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRGP10ME-E3/54
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 500 ns，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesRGP10ME-E3/73
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single、恢复时间 500 ns，采用 DO-204AL-2 封装。
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