RFNL10BGE6STL
ROHM Semiconductor
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Diode、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 10 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 TO-252GE-3 封装。
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芯片技术资料
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