DF70835AD80FTV#ZB
Renesas Electronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 32 kB、ADC 分辨率 10 位、输入／输出数 73 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道，采用 TFQFP-100 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCU搜索结果
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DF70845AD80FPV#ZB
Renesas Electronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 32 kB、ADC 分辨率 10 位、输入／输出数 84 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道，采用 LQFP-112 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUDF70855AD80FPV#ZB
Renesas Electronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 32 kB、ADC 分辨率 10 位、输入／输出数 108 个输入／输出、ADC 通道数 8 个通道，采用 LFQFP-144 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUDF70865AD80FPV#ZB
Renesas Electronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 日本。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUDF72115Y160FPV
Renesas Electronics
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 日本。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUIS49RL18320-093BL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-093BLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-093EBL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-093EBLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL18320-107BL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM