R4220
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 125 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 2000 A，采用 DO205AA 封装。
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R4220
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 125 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 2 kA，采用 DO205AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersR422003010
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器R422003020
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器R422003040
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器R422006010
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器R422006020
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器R422006030
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器R422006040
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器R422010010
Radiall
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 FR。
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