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Renesas Electronics Corporation
- 74CBTLV3861QG8Renesas Electronics Corporation参数相近
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QS3VH861QG
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICsQS3VH861QG
Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 9 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 QSOP-24 封装。
半导体 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICsQS3VH861QG8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS3VH861QG8 QS3VH861、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICsQS3VH861QG8
Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDTQS3VH861QG8 QS3VH861、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。
半导体 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs