QS3VH257S1G
IDT
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、产品 Multiplexers / Demultiplexers、输入线数 2 Input、输出线数 1 Output、传播延迟时间 0.2 ns，采用 SOIC-16 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| QS3VH257S1G8 | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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QS3VH257S1G8
IDT
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、产品 Multiplexers / Demultiplexers、位数 8 位，采用 SOIC-16 封装。
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