原型号
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Diodes Incorporated
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- QS3VH16211PAGRenesas Electronics Corporation相似型号
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
QS3VH16211PAG
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-56 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICsQS3VH16211PAG
Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-56 封装。
半导体 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICsQS3VH16211PAG8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括位数 24 位、高度 1 mm、长度 14 mm、宽度 6.1 mm、型号别名 IDTQS3VH16211PAG8 QS3VH16211、单件重量 0.026103 oz，采用 TSSOP-56 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICsQS3VH16211PAG8
Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括位数 24 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDTQS3VH16211PAG8 QS3VH16211、单件重量 0.026103 oz，采用 TSSOP-56 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs