QS34X383Q3G
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括位数 32 位、导通电阻（最大值） 17 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.6 mm，采用 QVSOP-80 封装。
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QS34X383Q3G8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括位数 32 位、高度 1.6 mm、长度 20.5 mm、宽度 3.81 mm、型号别名 IDTQS34X383Q3G8 QS34X383，采用 QVSOP-80 封装。
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