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来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

FST3383MTCX

onsemi

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  • QS3383QGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

FST3383QSC

onsemi

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  • QS3383QGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

SN74CBT3383CDGVR

Texas Instruments

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  • QS3383QGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

SN74CBT3383CPW

Texas Instruments

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  • QS3383QGRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

QS3383QG

IDT

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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QS3383QG

Renesas Electronics

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。

半导体 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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QS3383QG8

IDT

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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QS3383QG8

Renesas Electronics

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps，采用 QSOP-24 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs
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