QS3245SOG
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2.34 mm，采用 SOIC-20 封装。
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QS3245SOG
Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-20 封装。
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IDT
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2.34 mm，采用 SOIC-20 封装。
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Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括位数 8 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-20 封装。
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