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QPD1022SR

Qorvo

该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 DC to 12 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 24 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 32 V,采用 QFN-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管
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