QPD1018
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～3.1 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17.7 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 145 V，采用 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm 封装。
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