QPD1014SR
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 30~1200 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 50 V,采用 DFN-8 封装。
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Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 30~1200 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 50 V,采用 DFN-8 封装。
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