QPD0060
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～3.8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 16.2 dB、输出功率 90 W、最小工作温度 - 40 C、应用 Microcell Base Station, W-CDMA / LTE，采用 DFN-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > 射频结型场效应晶体管搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
QPD0060SR
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 48 V、工作频率 DC to 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 25 dB、湿敏性 是，采用 DFN-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPD0060TR7
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 48 V、工作频率 DC to 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 25 dB、湿敏性 是，采用 DFN-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier