QPD0020
Qorvo
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.6～2.69 GHz、技术 GaN Si、配置 Single、原产国家或地区 美国、湿敏性 是、输出功率 34.7 W，采用 QFN-20 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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Qorvo
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.6～2.69 GHz、技术 GaN Si、配置 Single、原产国家或地区 美国、湿敏性 是、输出功率 34.7 W，采用 QFN-20 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF Bipolar TransistorsRFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > 射频结型场效应晶体管Qorvo
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 2.69 GHz、最小工作频率 2.62 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、配置 Single、原产国家或地区 美国，采用 QFN-20 封装。
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