PN4117
InterFET
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） 40 V、栅源电压为零时的漏源电流 0.09 mA，采用 TO-92-3 封装。
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PN4117-TR
InterFET
主要参数包括类型 JFET、型号别名 2N4117A PN4117、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETPN4117A
InterFET
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 10 V、栅源击穿电压（Vgs） 40 V、栅源电压为零时的漏源电流 0.09 mA，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETPN4117A-TR
InterFET
主要参数包括类型 JFET、型号别名 2N4117A PN4117A、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETPN4117ATR
InterFET
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 美国、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsPN4117TR
InterFET
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 美国、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
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