PMX400UPZ
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 900 mA、漏源导通电阻(Rds On) 500 mOhms,采用 DFN-0603-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs技术资料参考
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主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 900 mA、漏源导通电阻(Rds On) 500 mOhms,采用 DFN-0603-3 封装。
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