PM50RG1B120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、原产国家或地区 日本、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 20 C、耗散功率(Pd) 378 W。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs技术资料参考
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Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、原产国家或地区 日本、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 20 C、耗散功率(Pd) 378 W。
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