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PM400DV1A060

Mitsubishi Electric

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 1.9 V、25°C 时连续集电极电流 400 A。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT Modules
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