PAT3060H-C-10DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
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PAT3060H-C-1DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT3060H-C-2DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 2 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.2、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT3060H-C-3DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括最大频率 3 GHz、技术 Si、衰减 3 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.2、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT3060H-C-5DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器PAT3060H-C-6DB-T1
Susumu
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本。
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