P2300SD
Yageo
主要参数包括非重复通态电流 2.2 A、额定重复断态电压(VDRM) 190 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、最大维持电流(Ih) 150 mA、通态电压 4 V、断态电容(CO) 35 pF,采用 DO-214AA-2 封装。
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Yageo
主要参数包括非重复通态电流 2.2 A、额定重复断态电压(VDRM) 190 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、最大维持电流(Ih) 150 mA、通态电压 4 V、断态电容(CO) 35 pF,采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)Littelfuse
主要参数包括转折电压(VBO) 260 V、最大转折电流(IBO) 800 mA、非重复通态电流 50 A、额定重复断态电压(VDRM) 190 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、最大维持电流(Ih) 50 mA,采用 DO-214AA 封装。
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