NZ9F18VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 17.955 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 14.2 mV/K、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923 封装。
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NZ9F18VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
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onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-923-2 封装。
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