NX5008NBKHH
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel Trench MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 50 V、连续漏极电流(Id) 350 mA,采用 DFN-0606-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel Trench MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 50 V、连续漏极电流(Id) 350 mA,采用 DFN-0606-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs