NVMFS6H836NT1G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 80 A、漏源导通电阻（Rds On） 6.7 mOhms，采用 DFN-5 封装。
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NVMFS6H836NT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 80 A、漏源导通电阻（Rds On） 6.7 mOhms，采用 SO-8FL-4 封装。
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