NVD6824NLT4G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 41 A、漏源导通电阻（Rds On） 20 mOhms、认证等级 AEC-Q101，采用 TO-252-3 封装。
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NVD6824NLT4G-VF01
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.011993 oz，采用 TO-252-3 封装。
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