NVD5C486NLT4G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 16 mOhms，采用 DPAK-3 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NVD5807NT4G-VF01 | onsemi |
| 2021-10-06 | 查看资料 |
| SVD5806NT4G | onsemi |
| 2021-10-06 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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NVD5C486NLT4G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 16 mOhms，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
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