NV25010MUW3VTBG
ON Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM