NUD3112LT1G
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOT-23-3 封装。
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芯片技术资料
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SZNUD3112LT1G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 16 V、连续漏极电流（Id） 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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