NTMYS3D8N04CLTWGonsemi主要参数包括技术 Si、漏源击穿电压(Vds) 40 V、原产国家或地区 菲律宾,采用 LFPAK-4 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs查看技术资料