NTMFS5C677NLT1Gonsemi主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 36 A、漏源导通电阻(Rds On) 15 mOhms,采用 SO-8FL-4 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs查看技术资料