NTMFS1D15N03CGT1Gonsemi主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 245 A,采用 SO-8FL-4 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs查看技术资料