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NSVMUN2236T1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 0.2 V、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 80,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-Biased
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NSVMUN2236T1G

onsemi

该型号为晶体管,主要参数包括输出电压 200 mV、配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 100 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 80,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors
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